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Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度


作者:    时间:2017/11/27 18:38:39  来源:   

器件在10V下的最大导通电阻为0.58mΩ,栅极电荷为61nC,采用小尺寸PowerPAK® SO-8单片封装

 

宾夕法尼亚、MALVERN — 2017年11月27日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的25V N沟道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。

 

今天发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK®SO-8封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比,SiRA20DP的典型栅极电荷更低,只有61nC,FOM为0.035Ω*nC,低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。

 

SiRA20DP的低导通电阻可减小传导功率损耗,提高系统效率,实现更高的功率密度,特别适合冗余电源架构中的OR-ring功能。器件的FOM较低,可提高开关性能,如通信和服务器电源中DC/DC转换,电池系统中的电池切换,以及5V到12V输入电源的负载切换。

 

这颗MOSFET经过了100%的RG和UIS测试,符合RoHS,无卤素。

 

SiRA20DP现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十五周。

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