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600 V CoolMOSTM CFD7 SJ MOSFET将性能提升到全新水准


作者:    时间:2017/11/24 20:35:55  来源:   

2017年11月24日,德国慕尼黑讯—凭借600 V CoolMOS™ CFD7,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出最新的高压超结MOSFET技术。该600 V CoolMOS™ CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和 电动汽车充电站等高功率SMPS应用。

 

该600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新MOSFET的效率比它的前身或竞争性产品高出1.45%之多。它不仅拥有快速开关技术的所有优势,还兼具高换相稳固性,同时不影响在设计过程中的轻松部署。该600 V CoolMOS CFD7拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外,其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低69%之多。该600 V CoolMOS CFD7可为THD和SMD器件提供业内领先的解决方案,从而能够支持高功率密度解决方案。

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